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Swiss Made SU-8 photoepoxy funktionelle Produkte für MEMS, LIGA und Mikroelektronik

Mikrostereolithographie: ein Rückblick

Microstereolithography ist eine Technologie an der Schnittstelle der Microengineering- und Rapid Prototyping-Domains. Es hat sich aus der Stereolithographie-Technik entwickelt, und basiert auch auf einer lichtinduzierten Schicht-Stacking-Fertigung, Da die Auflösung der Mikrostereolithographie-Technik viel besser ist als die der Rapid-Prototyping-Technologien, ist diese Technik von besonderes Interesse im Bereich Desmicroengineering, wo seine 3D-Fähigkeit die Herstellung von Komponenten ermöglicht, die keine andere Mikrofabrikationstechnik erzeugen kann. Die ersten Entwicklungen der Mikrostereolithographie-Technik haben 1993 begonnen und verschiedene Forschungsteams haben seitdem Maschinen mit unterschiedlichen Ansätzen entwickelt. In diesem Beitrag werden die wichtigsten bisher entwickelten Mikrostereolithographie-Prozesse untersucht. Die Mikrostereolithographie beginnt, ein kommerziell erhältliches Herstellungsverfahren zu sein. Da der Markt für miniaturisierte Produkte schnell wächst, steigt der Bedarf an hochauflösenden Prototypenteilen in kleiner Größe. Wenn die Herstellung kleiner mechanischer Komponenten die erste kommerzielle Anwendung der Mikrostereolithographie ist, kann diese Technologie auch nützliche Komponenten für den mikrorobotischen, mikrofluidischen, mikromedizinischen und biomedizinischen Bereich produzieren. Die aktuelle Forschung im Bereich der Mikrostereolithographie konzentriert sich auf die Verwendung von keramischen Verbundwerkstoffen als Material zur Herstellung komplexer dreidimensionaler Teile, die zu reinen Aluminiumoxid-Mikrokomponenten sintert werden können.

Microstereolithography ist eine Technologie an der Schnittstelle der Microengineering- und Rapid Prototyping-Domains.

Bertsch, A ; Jiguet, S ; Bernhard, P ; Renaud, P et al.


RAPID PROTOTYPING TECHNOLOGIES, Bd. 758, 2003, S. 3-1
5 Présenté: Symposim on Rapid Prototyping Technologies, BOSTON, MASSACHUSETTS, DEC 03-05, 2002.

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