SU8

私達の古典的なプロダクト：SU-8

今日では、材料だけではなくサプライヤからも多くのものが必要です。あなたは、構想から商品化まであなたのプロジェクトを遂行することができる特定のリソースを必要とします。 Gersteltecはこの結果を達成する上であなたのパートナーになることができます。

Gersteltecはあなたの会社に特別な競争力を与えることができるさまざまな製品形態の下で数種類の古典的なSU-8フォトレジスト製品を提供します。半導体用GM10xx、GMPI10xxシリーズ

Gersteltec

Gersteltecは、ニーズに応じて、さまざまな種類のフィラー、顔料、インク、および溶剤（セトン、酢酸エーテル、アロマティックなど）を含む、すぐに使える配合製品を提供しています。 Gersteltecのフォトエポキシ材料と製品は、先進の機能性SU-8フォトレジストを使用して、世界をリードするマイクロシステムデバイスメーカーのニーズを満たし、それを超えています。

GM10xx series

0.2 µm以下の層にはGM1010スプレー
0.2〜0.5µmの層の場合はGM1020スピン、スプレー、インクジェット
0.5〜1.2µmの層にはGM1030スピン、スプレー、インクジェット
0.9〜3.2μmの層用GM1040スピン、スプレー、インクジェット
3〜8μmの層にはGM1050スピン、インクジェット
5〜27μmの層にはGM1060スピン、インクジェット
15〜200µmの層にはGM1070スピン、インクジェット
100〜400μmの層にはGM1075スピン、インクジェット

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薄いレジスト

GM1010

公演•高解像度 •垂直側壁 •標準的なUVリソグラフィによるアスペクト比30まで •短いベークタイム
アプリケーション•トランジスタパッシベーション/中間層用の高解像度で複雑な形状の誘電体層 •スプレー、インクジェット、Eビームによるコーティング •AMOLED用の平坦化層 •MEMS、BioMEMS、NanoMEMS、交通大学大学中国））。
プロパティ•薄層：<0.2μm •耐薬品性 •熱安定性：350℃ •ヤング率：4.6 GPa •硬度：370 MPa •CTE：52 ppm（EPFL SwitzerlandのEli Kapon LPN教授による）

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薄いレジスト

GM1020

公演•高解像度 •垂直側壁 •標準的なUVリソグラフィによるアスペクト比30まで •短いベークタイム
アプリケーション•トランジスタ用の高解像度で複雑な形状の誘電体層 •スプレー、インクジェット、Eビームによるコーティング •AMOLED用の平坦化層 •MEMS、BioMEMS、NanoMEMS、（Eli Kapon LPN教授、EPFL Switzerland）。
プロパティ•薄層：0.2〜0.5μm •耐薬品性 •熱安定性：350°C •ヤング率：4.6 GPa •硬度：370 MPa •CTE：52 ppm（スイス、EPFL、Eli Kapon LPN教授）

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薄いレジスト

GM1030

公演•高解像度 •垂直側壁 •標準的なUVリソグラフィによるアスペクト比30まで •短いベークタイム
アプリケーション•トランジスタ用の高解像度で複雑な形状の誘電体層 •さまざまな金属コーティングされたSU8電極による相互接続、スプレーコーティング、インクジェット、Eビーム •マイクロフルイディクス •MEMS、BioMEMS、NanoMEMS
プロパティ•薄層：0.5〜1.2μm •耐薬品性 •熱安定性：350°C •ヤング率：4.6 GPa •硬度：370 MPa •CTE：52 ppm（Sebastien Jiguet Gersteltec Switzerlandの好意による）

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薄いレジスト

GM1040

公演•高解像度 •垂直側壁 •標準的なUVリソグラフィによるアスペクト比30まで •短いベークタイム
アプリケーション•トランジスタ用の高解像度で複雑な形状の誘電体層 •スプレー、インクジェット、E-ビームによるコーティング •マイクロフルイディクス •MEMS、BioMEMS、NanoMEMS、（QwaneのMarc Heuschkelの好意による）。
プロパティ•薄層：0.9〜3.2μm •耐薬品性 •熱安定性：350℃ •ヤング率：4.6 GPa •硬度：370 MPa •CTE：52 ppm（スイス、EPFL、Guiducci Labの好意による）

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薄いレジスト

GM1050

公演•高解像度 •垂直側壁 •標準的なUVリソグラフィによるアスペクト比30まで •短いベークタイム
アプリケーション•高解像度で複雑な形状のトランジスタ用誘電体層 •スプレー、インクジェット、Eビームによるコーティング •マイクロフルイディクス •MEMS、BioMEMS、NanoMEMS（提供：EuroLCDs、ラトビア）。
プロパティ•薄層：3〜8μm •耐薬品性 •熱安定性：350°C •ヤング率：4.6 GPa •硬度：370 MPa •CTE：52 ppm

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厚いレジスト

GM1060

公演•高解像度 •垂直側壁 •標準的なUVリソグラフィによるアスペクト比30まで •短いベークタイム
アプリケーション•高解像度で複雑な形状のトランジスタ用誘電体層 •スプレー、インクジェット、Eビームによるコーティング •マイクロフルイディクス •MEMS、BioMEMS、NanoMEMS
プロパティ•厚い層：5〜27μm •化学的耐性 •熱安定性：350°C •ヤング率：4.6 GPa •硬度：370 MPa •CTE：52 ppm、（Duchamp Margaux MarieおよびSebatien Jiguet LMSI4 EPFL Switzerlandによる）

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厚いレジスト

GM1070

公演•高解像度 •垂直側壁 •標準的なUVリソグラフィによるアスペクト比30まで •短いベークタイム
アプリケーション•高解像度で複雑な形状のトランジスタ用誘電体層 •スプレー、インクジェット、Eビームによるコーティング •マイクロフルイディクス •MEMS、BioMEMS、NanoMEMS
プロパティ•厚い層：15-200μm•化学的耐性 •熱安定性：350°C •ヤング率：4.6 GPa •硬度：370 MPa•CTE：52 ppm、（Sebatien Jiguet LMSI 4 EPFL Switzerlandの好意による）

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厚いレジスト

GM1075

公演•高解像度 •垂直側壁 •標準的なUVリソグラフィによるアスペクト比30まで •短いベークタイム •低い加工温度
アプリケーション•MEMS、マイクロフルイディック、LIGA用の厚い層
プロパティ•高解像度 •厚い層：100〜400μm •垂直側壁 •標準的なUVリソグラフィによるアスペクト比30まで •短いベーク時間 •低い処理温度

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GMPI10xx series

0.2 µmより小さい層用のGMPI1010スプレー
0.2〜0.5μmの間の層のためのGMPI1020スピン、スプレー、インクジェット
0.5〜1.2µmの層用のGMPI1030スピン、スプレー、インクジェット
0.9〜3.2μmの層用GMPI1040スピン、スプレー、インクジェット
3〜8μmの層用GMP 1050スピン、インクジェット
5〜27μmの層用GMPI1060スピン、インクジェット
15〜200μmの層用GMPI1070スピン、インクジェット
100〜400μmの層用GMPI1075スピン、インクジェット

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薄いレジスト

GMPi10xx

公演•高解像度 •垂直側壁 •標準的なUVリソグラフィによるアスペクト比30まで •短いベークタイム
アプリケーション•高解像度で複雑な形状のトランジスタ用誘電体層 •スプレー、インクジェット、Eビームによるコーティング •ディスプレイおよびフレキシブルディスプレイ •AMOLED用の平坦化層 •MEMS、BioMEMS、NanoMEMS
プロパティ•薄層：<0.2μm •耐薬品性 •熱安定性：350℃ •ヤング率：4.6 GPa •硬度：370 MPa •CTE：52 ppm

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Gersteltecのアプローチの特徴は、将来の革新と投資です。

ＳＵ − ８フォトレジストは、ＩＢＭによって開発されたエポキシ樹脂に基づいている。 SU-8は、i-lineを介した厚膜の近紫外フォトレジスト技術であり、半導体産業およびマイクロテクノロジーやナノアプリケーションにとって利点があります。

SU-8は、MEMS、MOMES、UV-LIGAの微細加工およびコーティングの開発に使用されています。ＳＵ − ８は、Ｘ線、ＵＶおよび電子ビームなどのいくつかのリソグラフィ技術によってパターン化することができる。

SU-8は、垂直の側壁プロファイルを持つ非常に厚い層で高いアスペクト比を必要とする用途に特に使用されます。

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